발광다이오드 및 이의 제조방법이 제공된다. 상세하게는, 기판 상에 형성된, 제1 n-GaN층, 제1 활성층, 제1 p-GaN층이 순차적으로 적층된 제1 발광구조물, 상기 제1 n-GaN층 상부의 일측에 형성된 제1 n형 전극, 상기 제1 발광구조물 상에 형성된 적어도 하나의 홀이 배치된 전류확산층, 상기 도전층의 적어도 하나의 홀이 배치된 영역에 형성된 제2 p-GaN층 및 상기 제2 p-GaN층 상에 형성된 제2 활성층, 제2 n-GaN층이 순차적으로 적층된 제2 발광구조물, 상기 제2 p-GaN층은, 상기 도전층의 적어도 하나의 홀을 통해 상기 제1 p-GaN층을 재성장시켜 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드를 제공할 수 있다. 본 발명은 한 개의 발광다이오드에 두가지 이상의 파장을 가질 수 있는 복수개의 발광구조물을 배치함으로써 원하는 컬러의 광을 방출할 수 있는 고화소, 고휘도의 발광다이오드를 제공할 수 있다.