발광 다이오드 및 이의 제조방법이 개시된다. 발광 다이오드는 제2 도전형 반도체층 상에 형성되는 그래핀층과, 그래핀층 상의 일부 영역에 형성되는 복수개의 금속 나노입자를 포함함으로써 무기물로 구성된 제2 도전형 반도체층과 그래핀층의 접착력이 증대되어, 소자의 안정성 및 신뢰성이 확보될 수 있으며, 균일하게 전류가 확산되어 소자의 전면에서 안정적으로 광이 출사될 수 있다. 또한, 발광 다이오드의 제조방법은 제2 도전형 반도체층 상에 그래핀층을 형성하는 단계, 그래핀층 상에 패턴을 가지는 마스크막을 형성하는 단계, 마스크막의 패턴 내에 금속막을 형성하고, 마스크막을 제거하는 단계 및 상기 금속막을 열처리하여 복수개의 금속 나노입자를 형성하는 단계를 포함함으로써 높은 굴절율을 가지는 금속 나노입자가 그래핀층 상의 일부 영역에 형성되고, 상기 금속 나노입자에 의해 표면 텍스쳐링 효과가 발생되어 발광 효율이 향상될 수 있다.