화학적 도핑을 이용한 수직형 피-엔 접합 트랜지스터 및 그 제조방법
Vertical P-N Junction Transistor using Chemical Doping and Method of manufacturing the same
출원번호 : 1020150110924 / 20150806
등록번호 : 1018186570000 / 20180109

광주과학기술원,성균관대학교산학협력단 유원종,이병훈,류정진,이대영

초록

이황화몰리브덴을 기반으로 한 p-n 접합 트랜지스터 및 이의 제조방법이 개시된다. 게이트 구조물 상에 적층된 양상으로 n형 이황화몰리브덴층과 p형 이황화몰리브덴층이 형성되며, 게이트 구조물의 표면에 대해 수평 방향으로 접합면이 형성된다. 게이트층으로 전계가 인가되는 경우, 각각의 이황화몰리브덴층은 도전성 채널을 형성하며, 캐리어 이동의 양상은 바이폴라 타입으로 진행된다.

대표청구항

게이트 구조물 상의 제1 영역에 형성된 하부 전극;
상기 하부 전극 및 게이트 구조물 상에 형성된 p-n 접합 이황화몰리브덴층; 및
상기 p-n 접합 이황화몰리브덴층 상에 형성되고, 상기 제1 영역에 대향하는 제2 영역에 형성된 상부 전극을 포함하는 p-n 접합 트랜지스터.

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