초록
본 발명은 효율 향상 및 전극의 내구성 향상을 얻을 수 있도록 기존 정전기적 탈이온 수전해 시스템에 가변형 유로 패턴을 적용함으로써 전체 셀 내에서의 균일한 반응을 유도할 수 있는 탈이온 장치를 제공한다. 본 발명은 기존 정전기적 탈이온 수전해 시스템에 가변형 유로 패턴을 적용하여 전체 셀 내에서의 균일한 반응을 형성시켜 효율 향상 및 전극의 내구성 향상을 얻을 수 있다.
대표청구항
제1 엔드 플레이트, 상기 제1 엔드 플레이트의 우측에 위치한 결합체, 상기 결합체의 우측에 위치한 제2 엔드 플레이트를 포함하는 탈이온화 장치로서;상기 결합체는 (1a) 상기 제1 엔드 플레이트의 우측에 위치한 제1 집전체, (1b) 상기 제1 집전체의 우측에 위치한 제1 전극, (1c) 상기 제1 전극의 우측에 위치한 제1 스페이서, (1d) 상기 제1 스페이서의 우측에 위치한 제1 반대전극; (2a) 상기 제1 반대전극의 우측에 위치한 제2 집전체, (2b) 상기 제2 집전체의 우측에 위치한 제2 전극, (2c) 상기 제2 전극의 우측에 위치한 제2 스페이서, (2d) 상기 제2 스페이서의 우측에 위치한 제2 반대전극; ... ((N-1)a) 제(N-2) 반대전극의 우측에 위치한 제(N-1) 집전체, ((N-1)b) 상기 제(N-1) 집전체의 우측에 위치한 제(N-1) 전극, ((N-1)c) 상기 제(N-1) 전극의 우측에 위치한 제(N-1) 스페이서, ((N-1)d) 상기 제(N-1) 스페이서의 우측에 위치한 제(N-1) 반대전극; (Na) 상기 제(N-1) 반대전극의 우측에 위치한 제N 집전체, (Nb) 상기 제N 집전체의 우측에 위치한 제N 전극, (Nc) 상기 제N 전극의 우측에 위치한 제N 스페이서, (Nd) 상기 제N 스페이서의 우측에 위치한 제N 반대전극; 및 상기 제N 반대전극 우측에 위치한 제(N+1) 집전체로 구성되어 있고;상기 N은 2 내지 500 사이의 정수이며;상기 제1 집전체의 우측면에는 제1 우측 유로가 형성되어 있고; 상기 제2 집전체의 좌측면에는 제2 좌측 유로가 형성되어 있고, 상기 제2 집전체의 우측면에는 제2 우측 유로가 형성되어 있으며; ... 상기 제(N-1) 집전체의 좌측면에는 제(N-1) 좌측 유로가 형성되어 있고, 상기 제(N-1) 집전체의 우측면에는 제(N-1) 우측 유로가 형성되어 있으며; 상기 제N 집전체의 좌측면에는 제N 좌측 유로가 형성되어 있고, 상기 제N 집전체의 우측면에는 제N 우측 유로가 형성되어 있으며; 상기 제(N+1) 집전체의 좌측면에는 제(N+1) 좌측 유로가 형성되어 있고;상기 제1 우측 유로, 상기 제2 좌측 유로, 상기 제2 우측 유로, ... 상기 제(N-1) 좌측 유로, 상기 제(N-1) 우측 유로, 상기 제N 좌측 유로, 상기 제N 우측 유로, 상기 제(N+1) 좌측 유로 중 적어도 하나 이상의 유로가 나머지 유로와 구조 또는 패턴이 상이한 것을 특징으로 하는 탈이온화 장치.
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