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발광다이오드 및 그 제조방법
LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
출원번호 : 1020130151140 / 20131206
등록번호 : 1015337470000 / 20150629
광주과학기술원 이동선,배시영


초록

발광다이오드 및 그 제조방법이 개시된다. 상술한 발광다이오드 및 그 제조방법은 실리콘 기판 상에 반도체층을 돌출구조로 성장시켜 압전 효과가 감소되고 발광면적이 증가하는 효과가 있고, 돌출구조 사이에 활성층 또는 제2반도체층을 형성하여 별도의 평탄화 공정이 필요치 않고, 실리콘 기판 및 제1반도체층의 일부를 식각하여 별도의 요철화 공정 없이 광추출 효율이 향상되며, 기판 상의 구조물을 포함하는 기판을 기울여 제2전극을 배치하여 수직형 발광다이오드 공정과정을 단축시키는 효과가 있다.


대표청구항
발광다이오드로서:
기판;
상기 기판 상에 형성되고 선택 성장된 다수개의 돌출구조를 가지는 제1반도체층;
상기 제1반도체층 상에 있어서 상기 제1반도체층의 다수개의 돌출구조 상에 형성된 활성층;
상기 활성층 상에 형성된 제2반도체층;
상기 제2반도체층 상에 형성된 제1전극; 및
상기 기판에 형성된 제2전극;을 포함하고,
상기 다수개의 돌출구조들 사이의 이격공간은 상기 활성층, 상기 제2반도체층, 또는 상기 제1전극에 의해 채워지며, 상기 기판은 상기 제1반도체층의 노출하도록 일부가 제거되며, 상기 제1반도체층의 노출된 표면은 내부전반사 방지를 위해 식각된 패턴을 가지는 것인, 발광다이오드.

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