본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS 박막의 정량분석 방법은, 성분 조성이 다른 복수의 CIGS 박막에 레이저를 조사하여 분광선을 얻는 단계, 상기 분석 대상 원소의 분광선들 중 제1 분광선과 제2 분광선을 선택하고 상기 제1 분광선의 측정된 강도와 상기 제2 분광선의 측정된 강도의 상관 관계 플롯을 얻는 단계, 상기 상관 관계 플롯을 곡선 근사한 결과를 이용하여 상기 제1 분광선의 측정된 강도와 상기 제2 분광선의 측정된 강도를 보정하는 단계, 상기 제1 분광선의 보정된 강도와 상기 제2 분광선의 보정된 강도를 이용하여 선형 검량 곡선을 얻는 단계, 및 분석 대상인 시료를 LIBS 분석하여 상기 선형 검량 곡선과 대비하는 단계를 포함할 수 있다.