본 발명은 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법에 관한 것으로써, 고압 수소 처리를 적용한 고유전율 절연막 소자에 과포화로 존재하는 수소를 효과적으로 제거함으로써, 소자의 신뢰성을 개선하는 것을 특징으로 한다.

즉, 계면 전하를 줄여주기 위해서는 고농도, 고압의 수소 처리가 필수적이지만, 이 경우 수소가 고유전율 절연막의 계면과 벌크에 같이 함유되어서, 결과적으로 소자의 초기 동작특성은 계면에 존재하는 수소의 계면전하 패시베이션(passivation)으로 인해 개선되나, 소자의 신뢰성은 절연막 bulk에 남아있는 수소로 인해 악화되는 문제점이 발생한다.

따라서 본 발명에서는 이를 해결하기 위하여, 고압의 수소 처리 후, 후속열처리를 비활성 기체 분위기에서 장시간 실시함으로써, 벌크에 남아있는 수소분자를 효과적으로 제거하는 것을 특징으로 한다.