터치패널 제조방법
문희곤
hgmoon@gist.ac.kr
062-715-3077
기술개요
- 기존의 저항막 방식의 터치패널은 동시 두 지점의 터치시 서로 전기적인 단락이 발생되어 터치 오류가 발생되며, 정전 방식의 경우, 센싱을 위한 하부에 별도의 패턴이 요구됨
- 서로 수직으로 교차하는 상부 전극과 하부 전극 사이에 산화아연 등의 압전 소재 금속 산화물 나노로드들을 구성하여 저항변화형 터치패널로 사용 가능
- 수직 기공들이 형성된 나노 템플레이트를 이용하여 하부 전극의 특정 영역 상에서만 나노 구조체 성장 가능
기술의 특징/우수성
- 터치시의 간섭현상 없음, 높은 전자 수송 능력을 보이므로 터치감도 향상
- 제조단가가 낮은 스탬프 방식 공정 이용
- 압전소재인 나노로드에 가압 시 발생하는 저항변화 로 인한 전류 차이를 감지하여 동시 두 지점의 터치 신호 감지
- 픽셀의 크기가 수 마이크로미터 수준이기 때문에 터치 해상도가 높음
- 높은 내구성과 빛 투과율을 가짐과 동시에 장갑, 손톱 등에도 반응 함
주요기능/사양
- 터치 픽셀(pixel)당 일정한 개수의 나노로드를 내재 시킬 수 있어서 위치별 터치 센서의 균일한 성능을 기대할 수 있음 (픽셀 당오차 ±5% 이하)
- 뛰어난 터치 해상도 (픽셀: 최소 2 μm 수준)
- 빛 투과도: 90% 이상
응용분야
