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기 술 명
MOS 트랜지스터 게이트 절연막 및 그 제조방법
연 구 자
황현상(신소재공학부)
등록번호
10-0379621-00-00
출원번호
10-2001-0041230
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

본 발명에 따른 MOS 트랜지스터 게이트 절연막은, 하프늄 산화막에 Dy가 도핑되어 이루어지는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 Dy의 도핑량은 1 내지 20 원자% 인 것이 바람직하며, 상기 Dy 도핑된 하프늄 산화막은 원자증착법, 화학기상증착법, 및 반응성 스퍼터링법 등에 의하여 형성될 수 있다. Dy 도핑된 하프늄 산화막을 게이트 절연막으로 사용하게 되면 차세대에 적합한 유효두께를 가질 뿐만 아니라 누설전류가 매우 적은 게이트 절연막을 얻을 수

발명효과

Dy 도핑된 하프늄 산화막을 게이트 절연막으로 사용하게 되면 차세대에 적합한 유효두께를 가질 뿐만 아니라 누설전류가 매우 적은 게이트 절연막을 얻을 수 있게 된다. 본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.

대표청구항

하프늄 산화막에 Dy가 도핑되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 MOS 트랜지스터 게이트 절연막.